CONTENIDOS

Tema 1: Circuitos y componentes. Fuentes de tensión y de corriente. Resistores, capacitores e inductores. Teoremas de Thévenin y Norton. Cortocircuito y circuito abierto. Modelos y aproximaciones.

Tema 2 : Semiconductores. Modelos atómicos. Modelo de enlaces y modelo de bandas de energía. Sólido. Conductores, semiconductores y aisladores. Portadores. Semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Unión p-n. Zona de deserción. Barrera de potencial. Equilibrio, polarización directa e inversa. Ruptura.

Tema 3 : Diodos. Símbolo. Forma de fabricación. Curva característica. Zonas de funcionamiento: Polarización directa, inversa y ruptura. Potencia. Tensión umbral, resistencia dinámica y resistencia estática en polarización directa e inversa. Modelos equivalentes: Diodo ideal, segunda y tercer aproximación, segunda y tercer aproximación en ruptura y modelo SPICE. Hojas de datos. Polarización. Punto de operación.

Tema 4 : Rectificadores. Valor medio, valor eficaz y valor de pico. Formas de onda de una señal. Transformadores: Caracterización, relación de espiras, potencia y símbolos. Rectificador de media onda. Rectificador de onda completa: Con transformador con punto medio y con puente de diodos. Filtros: Con capacitor y de choque. Rizado. Tensión de pico inverso y corriente inicial. Fusibles.

Tema 5: Reguladores. Diodos zener y avalancha. Fuentes de alimentación. Análisis del rizado. Polarización del regulador: Resistencia serie mínima y máxima, y valor mínimo de tensión de entrada. Análisis en corriente alterna del regulador.

Tema 6: Otros circuitos con diodos. Diodos de señal. Cambiador de nivel positivo y negativo, detector de pico y detector pico a pico. Multiplicadores de tensión: Duplicadores, triplicadores, cuadriplicadores. Limitadores positivos y negativos, combinados y fijadores de nivel.

Tema 7: Transistor Bipolar de Juntura (BJT). Principio de funcionamiento. Símbolo. Forma de fabricación. Curva característica de entrada y de salida. Zonas de funcionamiento: Saturación, corte, activa directa, activa invertida, y ruptura. Disipación de potencia. Parámetros alfa y beta en directa e inversa y resistencia de emisor. Modelos equivalentes: Modelo de Ebbers-Moll, simplificación por zonas de funcionamiento (ideal, segunda aproximación y tercer aproximación), de parámetros híbridos, simplificado y SPICE. Hojas de datos. Optoacopladores y fototransistores. Par Darlington.

Tema 8: Polarización del BJT. Característica de cada zona de funcionamiento y método de análisis. Punto de operación. Circuitos de polarización: Polarización fija, con emisor realimentado, con dos fuentes, con colector y emisor realimentado, y divisor de tensión. Conmutación. Regulación.

Tema 9: Pequeña señal con BJT. Pequeña señal. Acoplamiento de la entrada y la salida, y desacople de la resistencia de emisor. Configuraciones: Emisor común, colector común y base común. Circuito equivalente para polarización y para pequeña señal en frecuencias medias. Resistencia en colector. Amplificación de tensión. Resistencia de entrada en la base. Resistencia de entrada de la etapa. Resistencia de salida de la etapa. Recta de carga en corriente alterna y máxima excursión. Etapas en cascada. Realimentación.

Tema 10: Amplificadores de potencia. Clasificación: Por tipo de acoplamiento, rango de frecuencia, nivel de señal y clase de operación. Ganancia y rendimiento. Amplificador clase A, B y C: Circuitos equivalentes en continua y alterna, rectas de carga, potencia media de polarización, de salida y en el colector, rendimiento y transferencia de tensión. Clase B: Circuitos con simetría complementaria, distorsión de cruce por cero, compensación para temperatura, realimentación. Clase C: Resonancia y filtrado de armónicos, factor de mérito y ancho de banda, y ciclo de trabajo.

Tema 11: Transistor de Efecto de Campo de Juntura (JFET). Principio de funcionamiento. Símbolo. Forma de fabricación. Curva característica de entrada y de transconductancia. Zonas de funcionamiento: Lineal, saturación y ruptura. Corriente de saturación máxima, tensión de apagado, tensión de extrangulamiento y transconductancia. Resistencia de encendido y apagado. Modelo equivalente. Hojas de datos.

Tema 12: Polarización del JFET. Característica de cada zona de funcionamiento y método de análisis. Punto de operación. Circuitos de polarización: Autopolarización, polarización fija, con fuente de corriente, con realimentación de fuente y por divisor de tensión. Interruptor, muestreador, multiplexor, amplificador de aislamiento, resistor controlado por tensión, control automático de ganancia y limitador de corriente.

Tema 13: Pequeña señal con JFET. Acoplamiento de la entrada y la salida, y desacople de la resistencia de fuente. Configuraciones: Fuente común, drenador común y compuerta común. Circuito equivalente para polarización y para pequeña señal en frecuencias medias. Amplificación de tensión.